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MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 814-1323PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SISS27DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

3.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

92 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.78mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 106,90

$ 0,534 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

200

Disponible en múltiplos de 20
200$ 106,90
220$ 117,59
240$ 128,28
260$ 138,97
280$ 149,65
300$ 160,34
320$ 171,03
340$ 181,72
360$ 192,41
380$ 203,10
400$ 213,79
420$ 224,48
440$ 235,17
460$ 245,86
480$ 256,55

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300$ 160,34
320$ 171,03
340$ 181,72
360$ 192,41
380$ 203,10
400$ 213,79
420$ 224,48
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
200 - 480$ 0,534$ 10,69
500 - 980$ 0,472$ 9,45
1000 - 1980$ 0,406$ 8,12
2000+$ 0,339$ 6,78

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P

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

3.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

92 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

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