Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Profundidad
3.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,10
€ 1,22 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,22 | € 6,10 |
50 - 245 | € 1,096 | € 5,48 |
250 - 495 | € 1,036 | € 5,18 |
500 - 1245 | € 0,792 | € 3,96 |
1250+ | € 0,708 | € 3,54 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Profundidad
3.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto