MOSFET Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,1 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1.819,12
€ 0,606 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Disipación de Potencia Máxima
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Ancho
3.4mm
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Material del transistor
Si
Largo
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