Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,15 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
102 nC a 10 V
Profundidad
5.26mm
Tensión de diodo directa
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,443
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,443 | € 7,22 |
50 - 120 | € 1,226 | € 6,13 |
125 - 245 | € 1,155 | € 5,78 |
250 - 495 | € 1,083 | € 5,42 |
500+ | € 1,01 | € 5,05 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,15 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
102 nC a 10 V
Profundidad
5.26mm
Tensión de diodo directa
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto