MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9698Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIRA90DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

102 nC a 10 V

Altura

1.12mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

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5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 2,84
10€ 5,67
15€ 8,51
20€ 11,35
25€ 14,19
30€ 17,02
35€ 19,86
40€ 22,70
45€ 25,54
50€ 28,37
55€ 31,21
60€ 34,05
65€ 36,89
70€ 39,72
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8

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1,15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

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Single

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Ancho

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