MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,15 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
102 nC a 10 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,655
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
102 nC a 10 V
Ancho
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Tensión de diodo directa
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Altura
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