MOSFET Vishay SIR692DP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 24,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25,3 nC a 10 V
Longitud
6.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.12mm
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 50 - 120 | € 1,453 | € 7,26 |
| 125 - 245 | € 1,263 | € 6,32 |
| 250 - 495 | € 1,041 | € 5,20 |
| 500+ | € 0,819 | € 4,09 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25,3 nC a 10 V
Longitud
6.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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