MOSFET Vishay SIR690DP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 34,4 A, SO de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
39 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31,9 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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5
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
39 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31,9 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
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