MOSFET Vishay SIR680DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9727Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR680DP-T1-RE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

69,5 nC a 10 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 2,222

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SIR680DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 2,222

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SIR680DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
2 - 18€ 2,222€ 4,44
20 - 98€ 2,088€ 4,18
100 - 198€ 1,889€ 3,78
200 - 498€ 1,778€ 3,56
500+€ 1,667€ 3,33

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

69,5 nC a 10 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more