Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69,5 nC a 10 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Serie
TrenchFET
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,222
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2
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 18 | € 2,222 | € 4,44 |
20 - 98 | € 2,088 | € 4,18 |
100 - 198 | € 1,889 | € 3,78 |
200 - 498 | € 1,778 | € 3,56 |
500+ | € 1,667 | € 3,33 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
69,5 nC a 10 V
Ancho
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.12mm
Serie
TrenchFET
Datos del producto