Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,05 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,713
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 18 | € 1,713 | € 3,43 |
20 - 98 | € 1,455 | € 2,91 |
100 - 198 | € 1,267 | € 2,54 |
200 - 498 | € 1,044 | € 2,09 |
500+ | € 0,968 | € 1,94 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5,05 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
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