Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,338
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,338 | € 6,69 |
50 - 120 | € 1,256 | € 6,28 |
125 - 245 | € 1,137 | € 5,69 |
250 - 495 | € 1,069 | € 5,35 |
500+ | € 1,002 | € 5,01 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.26mm
Longitud
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto