MOSFET Vishay SIR632DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 29 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Altura
1.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,773
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión de umbral de puerta mínima
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Largo
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