MOSFET Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3402Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR462DP-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4,8 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

4.9mm

Ancho

5.89mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.04mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Producción -

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5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 4,34
10€ 8,68
15€ 13,02
20€ 17,36
25€ 21,70
30€ 26,04
35€ 30,38
40€ 34,72
45€ 39,06
50€ 41,25
55€ 45,38
60€ 49,50
65€ 53,63
70€ 57,75
75€ 61,88

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50 - 245€ 0,825€ 4,12
250 - 495€ 0,608€ 3,04
500 - 1245€ 0,565€ 2,83
1250+€ 0,503€ 2,52

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N

Maximum Continuous Drain Current

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PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4,8 W

Transistor Configuration

Single

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±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

4.9mm

Ancho

5.89mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

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