MOSFET Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8,7 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 50 - 120 | € 1,141 | € 5,70 |
| 125 - 245 | € 1,014 | € 5,07 |
| 250 - 495 | € 0,952 | € 4,76 |
| 500+ | € 0,89 | € 4,45 |
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VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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