MOSFET Vishay SIHP6N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Series
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,041 | € 5,20 |
| 50 - 245 | € 1,019 | € 5,10 |
| 250 - 495 | € 0,78 | € 3,90 |
| 500 - 1245 | € 0,73 | € 3,65 |
| 1250+ | € 0,627 | € 3,13 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Series
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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