MOSFET Vishay SIHP6N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Series
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9 nC a 10 V
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 27,45
€ 0,549 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,549 | € 27,45 |
| 100 - 200 | € 0,434 | € 21,71 |
| 250+ | € 0,385 | € 19,26 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
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1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
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Ancho
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Número de Elementos por Chip
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Material del transistor
Si
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