MOSFET Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9709Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIHP065N60E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

E Series

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.51mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49 nC a 10 V

Altura

15.49mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 4,65
2€ 9,31
3€ 13,96
4€ 18,62
5€ 23,27
6€ 27,93
7€ 32,58
8€ 37,24
9€ 41,89
10€ 45,14
11€ 49,66
12€ 54,17
13€ 58,69
14€ 63,20
15€ 67,71

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVA
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10 - 24€ 4,51
25 - 49€ 4,28
50 - 99€ 4,09
100+€ 3,86

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TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

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Single

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±30 V

Ancho

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1

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Longitud

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Altura

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
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