MOSFET Vishay SiHG33N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
EF Series
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
98 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
278 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
103 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
20.82mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,21
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Empaque de Producción (Tubo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,21 |
| 10 - 24 | € 5,84 |
| 25 - 49 | € 5,28 |
| 50 - 99 | € 4,97 |
| 100+ | € 4,66 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
EF Series
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
98 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
278 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
103 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
20.82mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
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