MOSFET Vishay SIHF5N50D-E3, VDSS 500 V, ID 5,3 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
D Series
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Altura
9.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 51,13
€ 1,023 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Mejora
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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