MOSFET Vishay SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Series

D Series

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 10 V

Ancho

6.22mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.38mm