Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,772
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,772 | € 7,72 |
100 - 240 | € 0,725 | € 7,25 |
250 - 490 | € 0,656 | € 6,56 |
500 - 990 | € 0,617 | € 6,18 |
1000+ | € 0,58 | € 5,80 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto