Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.05mm
Ancho
3.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,964
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
€ 0,964
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,964 | € 4,82 |
50 - 245 | € 0,674 | € 3,37 |
250 - 495 | € 0,596 | € 2,98 |
500 - 1245 | € 0,503 | € 2,51 |
1250+ | € 0,454 | € 2,27 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.05mm
Ancho
3.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
Datos del producto