MOSFET Vishay SI7309DN-T1-E3, VDSS 60 V, ID 3.9 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3386Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI7309DN-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

115 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

3.05mm

Profundidad

3.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

1.04mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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500 - 1245€ 0,502€ 2,51
1250+€ 0,453€ 2,26

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Tipo de montaje

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Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

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