Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.05mm
Profundidad
3.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,962
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,962 | € 4,81 |
50 - 245 | € 0,672 | € 3,36 |
250 - 495 | € 0,595 | € 2,98 |
500 - 1245 | € 0,502 | € 2,51 |
1250+ | € 0,453 | € 2,26 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.05mm
Profundidad
3.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
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