Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
156 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,175
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
€ 0,175
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
156 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto