MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
156 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Ancho
1.7mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 500 - 980 | € 0,425 | € 8,49 |
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| 2000+ | € 0,374 | € 7,48 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1206 ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
156 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Ancho
1.7mm
Temperatura Mínima de Operación
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