MOSFET Vishay SI5448DU-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 25 A, PowerPAK ChipFET de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9,47 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
31000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Ancho
1.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26,2 nC a 10 V
Altura
0.8mm
Serie
TrenchFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9,47 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
31000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Ancho
1.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26,2 nC a 10 V
Altura
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Serie
TrenchFET
Temperatura Mínima de Operación
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