MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 50 - 245 | € 1,125 | € 5,62 |
| 250 - 495 | € 0,915 | € 4,57 |
| 500 - 1245 | € 0,76 | € 3,80 |
| 1250+ | € 0,695 | € 3,47 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Ancho
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Si
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