Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.55mm
País de Origen
China
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€ 1,616
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,616 | € 8,08 |
50 - 120 | € 1,455 | € 7,27 |
125 - 245 | € 1,375 | € 6,88 |
250 - 495 | € 1,293 | € 6,47 |
500+ | € 1,214 | € 6,07 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.55mm
País de Origen
China