MOSFET Vishay SI4848DY-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 2,7 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC
Altura
1.55mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 0,744
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
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