MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,5 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,784 | € 8,92 |
| 50 - 120 | € 1,677 | € 8,38 |
| 125 - 245 | € 1,515 | € 7,58 |
| 250 - 495 | € 1,427 | € 7,13 |
| 500+ | € 1,338 | € 6,69 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.56 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,5 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
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