MOSFET Vishay SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,7 A, 6,8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,771
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
€ 0,771
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,771 | € 15,41 |
| 200 - 480 | € 0,593 | € 11,86 |
| 500 - 980 | € 0,501 | € 10,01 |
| 1000 - 1980 | € 0,462 | € 9,24 |
| 2000+ | € 0,386 | € 7,72 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products