MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,3 A, 6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9020PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4532CDY-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A, 6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 mΩ, 140 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.78 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 0,543

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,3 A, 6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 10,85
40€ 21,71
60€ 32,56
80€ 43,41
100€ 54,26
120€ 65,12
140€ 75,97
160€ 86,82
180€ 97,68
200€ 92,16
220€ 101,37
240€ 110,59
260€ 119,80
280€ 129,02
300€ 138,23

€ 0,543

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,3 A, 6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 10,85
40€ 21,71
60€ 32,56
80€ 43,41
100€ 54,26
120€ 65,12
140€ 75,97
160€ 86,82
180€ 97,68
200€ 92,16
220€ 101,37
240€ 110,59
260€ 119,80
280€ 129,02
300€ 138,23

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
20 - 180€ 0,543€ 10,85
200 - 480€ 0,461€ 9,22
500 - 980€ 0,435€ 8,70
1000 - 1980€ 0,407€ 8,14
2000+€ 0,38€ 7,60

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A, 6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 mΩ, 140 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.78 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more