MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3215PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4431CDY-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.55mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 0,892

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 0,892

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
20 - 80€ 0,892€ 17,85
100 - 180€ 0,715€ 14,29
200 - 480€ 0,678€ 13,57
500 - 980€ 0,643€ 12,86
1000+€ 0,607€ 12,14

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.55mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more