Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,892
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
20
€ 0,892
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20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,892 | € 17,85 |
100 - 180 | € 0,715 | € 14,29 |
200 - 480 | € 0,678 | € 13,57 |
500 - 980 | € 0,643 | € 12,86 |
1000+ | € 0,607 | € 12,14 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
49 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto