MOSFET Vishay Si4425FDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 18,3 A, SO-8 de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
18,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
TrenchFET® Gen IV
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,016 Ω, 0,0095 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Número de Elementos por Chip
1
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€ 0,251
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