Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
5000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,5 nC a 10 V
Ancho
4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,537
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
20
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20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,537 | € 10,74 |
200 - 480 | € 0,429 | € 8,58 |
500 - 980 | € 0,402 | € 8,05 |
1000 - 1980 | € 0,349 | € 6,97 |
2000+ | € 0,29 | € 5,80 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
5000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,5 nC a 10 V
Ancho
4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto