MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3205Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4178DY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

33 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

5000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,5 nC a 10 V

Ancho

4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 10,74
40€ 21,47
60€ 32,21
80€ 42,94
100€ 53,68
120€ 64,42
140€ 75,15
160€ 85,89
180€ 96,62
200€ 85,84
220€ 94,43
240€ 103,01
260€ 111,59
280€ 120,18
300€ 128,76

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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200 - 480€ 0,429€ 8,58
500 - 980€ 0,402€ 8,05
1000 - 1980€ 0,349€ 6,97
2000+€ 0,29€ 5,80

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Si

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