MOSFET Vishay SI4116DY-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 12.7 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,156
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,156 | € 5,78 |
| 50 - 245 | € 1,086 | € 5,43 |
| 250 - 495 | € 0,983 | € 4,92 |
| 500 - 1245 | € 0,925 | € 4,62 |
| 1250+ | € 0,869 | € 4,34 |
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SOIC W
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
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