MOSFET Vishay SI4090DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
7.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45,6 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1.360,83
€ 0,544 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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