MOSFET Vishay SI4090DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
7,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45,6 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,82
€ 1,363 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,363 | € 6,82 |
| 50 - 120 | € 1,335 | € 6,67 |
| 125 - 245 | € 1,007 | € 5,04 |
| 250 - 495 | € 0,832 | € 4,16 |
| 500+ | € 0,653 | € 3,26 |
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-100 V
Series
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
7,8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45,6 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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