MOSFET Vishay SI4056DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,1 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
ThunderFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,6 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,871 | € 4,35 |
| 50 - 245 | € 0,739 | € 3,70 |
| 250 - 495 | € 0,61 | € 3,05 |
| 500 - 1245 | € 0,574 | € 2,87 |
| 1250+ | € 0,541 | € 2,70 |
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,6 nC a 10 V
Profundidad
4mm
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Altura
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