Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
51 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34,8 nC a -8 V
Altura
1mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,331
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
25
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25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,331 | € 8,27 |
250 - 600 | € 0,311 | € 7,78 |
625 - 1225 | € 0,282 | € 7,05 |
1250 - 2475 | € 0,264 | € 6,61 |
2500+ | € 0,248 | € 6,20 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
51 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34,8 nC a -8 V
Altura
1mm
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto