MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7 A, TSOP de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
53 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Ancho
1.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
20
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P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
53 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Ancho
1.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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