MOSFET Vishay SI3476DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 4,6 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
126 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,9 nC a 10 V
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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€ 0,18
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
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