MOSFET Vishay SI3443DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP6 de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 146-4439Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI3443DDV-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOP6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Profundidad

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1mm

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Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOP6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

-0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2.7 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

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