MOSFET Vishay SI2377EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3145Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2377EDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 8 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI2377EDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 7,44
40€ 14,88
60€ 22,31
80€ 29,75
100€ 37,19
120€ 44,63
140€ 52,07
160€ 59,50
180€ 66,94
200€ 56,60
220€ 62,26
240€ 67,92
260€ 73,58
280€ 79,25
300€ 84,91

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
20 - 180€ 0,372€ 7,44
200 - 480€ 0,283€ 5,66
500 - 980€ 0,261€ 5,22
1000 - 1980€ 0,223€ 4,47
2000+€ 0,193€ 3,86

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

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14 nC a 8 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

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