Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
345 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,7 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,439
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
10
€ 0,439
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
345 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,7 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto