MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1.9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3241PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2303CDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 4,5 V, 4 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1.9 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 6,91
40€ 13,82
60€ 20,73
80€ 27,65
100€ 34,56
120€ 41,47
140€ 48,38
160€ 55,29
180€ 62,20
200€ 69,12
220€ 76,03
240€ 82,94
260€ 89,85
280€ 96,76
300€ 103,67

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SOT-23-5

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3

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190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

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Single

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±20 V

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1

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Longitud

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Material del transistor

Si

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