MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,171 | € 512,24 |
| 6000+ | € 0,163 | € 487,68 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
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