MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3238PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2301CDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

112 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

860 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Profundidad

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.02mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 7,43
40€ 14,85
60€ 22,28
80€ 29,70
100€ 37,13
120€ 44,55
140€ 51,98
160€ 59,40
180€ 66,83
200€ 59,31
220€ 65,24
240€ 71,17
260€ 77,10
280€ 83,03
300€ 88,96

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
20 - 180€ 0,371€ 7,42
200 - 480€ 0,297€ 5,93
500 - 980€ 0,223€ 4,46
1000 - 1980€ 0,186€ 3,71
2000+€ 0,167€ 3,34

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Tipo de montaje

Surface Mount

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

112 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

860 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V

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1

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+150 ºC

Longitud

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Profundidad

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