MOSFET Vishay SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
263 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 8 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,321 | € 16,04 |
| 500 - 1200 | € 0,237 | € 11,86 |
| 1250 - 2450 | € 0,199 | € 9,96 |
| 2500 - 4950 | € 0,176 | € 8,82 |
| 5000+ | € 0,161 | € 8,05 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
263 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 8 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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