MOSFET Vishay SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 400 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 812-3094Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1553CDL-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

400 mA, 700 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.48 Ω, 578 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

340 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V

Profundidad

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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N, P

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.48 Ω, 578 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

340 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V

Profundidad

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

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